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  • 2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式InAs光伏測器

    2.15-3.5μm 紅外非冷卻光浸式InAs光伏測器 PVIA系列具有高達300℃的溫度穩定性以及高機械耐用，且不含汞和鎘，符合RoHS指標要求。

    更新時間：2024-12-04
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  • 碲鎘汞雙極熱電制冷紅外光電探測器

    2.9-5.5um 碲鎘汞雙極熱電制冷紅外光電探測器是一種基于精密碲鎘汞異質結構的雙極熱電制冷紅外光電探測器具有好的性能和穩定性。對器件進行了優化，使得器件在5um處達到大性能，探測器元件與超半球GaAs微透鏡進行單片集成，以提高器件的性能。

    更新時間：2024-12-04
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  • 3μm中紅外MCT兩級TE冷卻光電探測器2-12μm

    3μm中紅外MCT兩級TE冷卻光電探測器2-12μm ,PV-2TE系列反向偏壓可以顯著提高響應速度和動態范圍，以及高頻下的性能，但偏置器件中出現的1/f噪聲可能會降低低頻下的性能。3°楔狀藍寶石(wAl2O3)或硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口可防止不必要的干擾影響。

    更新時間：2024-12-04
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  • MCT中紅外四級TE冷卻光浸式多結光伏探測器

    2 - 13 μm ,MCT中紅外四級TE冷卻光浸式多結光伏探測器 PVMI-4TE系列一款特別適用于在2 ~ 13 μm光譜范圍內工作的大感光面探測器。3°楔狀硒化鋅抗反射涂層(wZnSeAR)窗口，防止不必要的干擾效應。

    更新時間：2024-12-04
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  • MCT中紅外三級TE冷卻光浸式多結光伏探測器

    2-13μm , MCT中紅外三級TE冷卻光浸式多結光伏探測器 PVMI-3TE系列是基于復雜的HgCdTe異質結構的三級TE冷卻紅外多結光伏探測器，采用光學浸沒的方式改善器件的參數，以達到好的性能和穩定性。

    更新時間：2024-12-04
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