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更新時(shí)間:2025-08-08
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背景介紹
ZnO是一種典型的寬禁帶半導(dǎo)體材料,具有相對較高的紫外吸收系數(shù)和電子遷移率,已成為紫外探測器的理想材料。同時(shí),ZnO具備很好的抗輻射能力,能夠在各種環(huán)境下進(jìn)行穩(wěn)定工作。
但是,ZnO表面存在著大量懸掛鍵和表面態(tài)等缺陷。在光照時(shí),表面缺陷作為陷阱態(tài)會捕獲光生載流子,這會產(chǎn)生嚴(yán)重的持續(xù)光電導(dǎo)效應(yīng),增加探測器的上升下降時(shí)間,極大地阻礙了ZnO光電探測器的性能。
通過量子點(diǎn)對ZnO進(jìn)行表面修飾是提高探測器性能的重要方法。CdSe量子點(diǎn)具有帶隙可調(diào)、電子輸運(yùn)可控、能帶結(jié)構(gòu)匹配和制備工藝簡單等特性,采用CdSe量子點(diǎn)修飾ZnO光電探測器,對于提高光電探測器的響應(yīng)性能具有重要意義。
創(chuàng)新工作
長春理工大學(xué)高功率半導(dǎo)體激光國家重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室王登魁副研究員團(tuán)隊(duì)采用化學(xué)氣相沉積技術(shù)和快速熱注入法分別合成ZnO微米線和CdSe量子點(diǎn),并將CdSe量子點(diǎn)修飾在ZnO微米線表面以制備CdSe量子點(diǎn)修飾ZnO微米線紫外光電探測器。通過CdSe量子點(diǎn)的修飾,在ZnO微米線與表面修飾的CdSe量子點(diǎn)之間構(gòu)成II型異質(zhì)結(jié)構(gòu)(圖1)。
異質(zhì)結(jié)的界面處存在內(nèi)建電場,在內(nèi)建電場的作用下,電子向ZnO微米線表面遷移,空穴向CdSe量子點(diǎn)遷移,加快了光生載流子的分離,進(jìn)而促使探測器的響應(yīng)性能得到顯著提高。

圖1 CdSe量子點(diǎn)修飾ZnO微米線能帶結(jié)構(gòu)示意圖
實(shí)驗(yàn)測得,CdSe量子點(diǎn)修飾ZnO微米線紫外光電探測器的最大響應(yīng)度為10.5 mA/W,較ZnO 微米線測器響應(yīng)度提高了6倍。同時(shí),探測器的響應(yīng)時(shí)間也大幅縮短,上升和下降時(shí)間分別縮短了87.7%和76.2%。圖2為CdSe量子點(diǎn)修飾前后探測器響應(yīng)時(shí)間的對比圖。

圖2 CdSe量子點(diǎn)修飾ZnO微米線前后探測器的響應(yīng)時(shí)間。(a)ZnO微米線光電探測的響應(yīng)時(shí)間;(b)CdSe量子點(diǎn)修飾ZnO微米線光電探測器的響應(yīng)時(shí)間
為了研究退火對CdSe量子點(diǎn)修飾的ZnO微米線探測器光電性能的影響,將CdSe量子點(diǎn)修飾的ZnO微米線在Ar氣氛下600 ℃退火30 min。圖3為退火前后CdSe量子點(diǎn)修飾ZnO微米線光電探測器的光暗電流隨溫度變化的曲線圖。

圖3 退火前后CdSe量子點(diǎn)修飾ZnO 微米線光電探測器的光和暗電流隨溫度變化的曲線圖
退火前,隨著溫度升高,ZnO表面吸附的氧分子獲得能量從表面解吸并釋放自由電子,自由電子濃度的提高促使光電流逐漸上升。退火處理可顯著改善ZnO微米線的結(jié)晶質(zhì)量,進(jìn)而促進(jìn)電子空穴對的轉(zhuǎn)移,使光電流顯著提高。然而,隨著溫度的繼續(xù)升高,光電流因聲子散射的不斷加劇而緩慢下降。
因此,通過退火處理可以顯著改善光電探測器的光電響應(yīng)性能及光響應(yīng)速度,且在200 K時(shí),探測器獲得最佳的光電性能。
總結(jié)與展望
課題組通過CdSe量子點(diǎn)對ZnO微米線表面修飾,顯著提高了ZnO基光電探測器的響應(yīng)性能。利用II型異質(zhì)結(jié)構(gòu)及表面鈍化的工作原理,探測器的響應(yīng)時(shí)間得到大幅縮短,證明了CdSe量子點(diǎn)的修飾對于提高ZnO基光電探測器的性能具有重要作用。
CdSe量子點(diǎn)的量子效應(yīng)可以實(shí)現(xiàn)能帶的調(diào)制及在可見光不同波長范圍內(nèi)的光譜響應(yīng),基于此,課題組下一步預(yù)計(jì)將制備的不同尺寸的CdSe量子點(diǎn)與ZnO微米線相結(jié)合,利用II異質(zhì)結(jié)構(gòu)的電子輸運(yùn)機(jī)制,實(shí)現(xiàn)探測器的紫外-可見多波長光電探測性能。
參考文獻(xiàn): 中國光學(xué)期刊網(wǎng)
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