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產品分類IR拋光CZ級(Si)硅窗片 AR/AR增透膜 1.2-15um (30.0X2.0mm 窗口片) 光學級硅通常規定為具有5至40ohm-cm的電阻率,其電阻率比大多數半導體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制,te別是對于TeraHertz應用。通常的材料為CZ(Czochralski級提拉法生成),其在9μm具有Si-O吸收帶,因此如果在3至5μm光譜帶中使用該窗口,則此性質不重要。
更新時間:2025-01-03
產品型號:SICZP30-2AR
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IR拋光CZ級(Si)硅窗片 矩形 N-type 摻雜 1.2-15um (50mm x 50mm x 10mm 用于中子反射窗口片)(晶體/棱鏡/窗片) 產品總覽 光學級硅通常規定為具有5至40ohm-cm的電阻率,其電阻率比大多數半導體的都高。 非常高的電阻率材料可客戶定制,te別是對于TeraHertz應用。通常的材料為CZ(Czochralski級提拉法生成),其在9μm具有Si-O吸
更新時間:2025-01-03
產品型號:SICZP50-50-10NEUT
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IR級拋光氟化鍶窗片 0.15-11um (10.0X1.0mm圓形SrF2窗口片)(晶體/棱鏡/窗片) 氟化鍶(SrF2)通過真空Stockbarger生長技術生產,只有專業方面的應用。 光學上,SrF2具有介于鈣和BaF2之間的性質。 通常,窗口片符合紅外使用條件,但可以在大部分紫外線光譜范圍內提供良好的性能。為了保證穿過 UV(和 VUV)的傳輸,型號以U結尾
更新時間:2025-01-02
產品型號:SRFP10-1
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IR拋光硫化鋅(ZnS)多光譜(透明)窗片 0.37-13.5um 25.4X1.0mm(晶體/棱鏡/窗片) ZnS多光譜(透明)用于紅外窗口和熱波段(8至14μm)透鏡,te別是需要更大透射和更低吸收率的窗口。 選擇用于可見對準也是有利的。硫化鋅通過從鋅蒸汽和H2S氣體合成而產生,經過壓片形成片狀。硫化鋅在結構上是微晶的,控制晶粒尺寸以產生Max. 強度。
更新時間:2025-01-07
產品型號:ZNSP25.4-1
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VUV級拋光氟化鎂MgF2平凸透鏡 (直徑40mm 焦距115mm)(晶體/棱鏡/窗片) MgF2能很好地透過VUV區域到萊曼-阿爾法氫線(121nm)甚至更遠。氟化鎂主要用于UV光譜,并且對于準分子激光具有很好的應用。MgF2通過真空Stockbarger技術在各種直徑的鑄塊中生長。 氟化鎂是一種堅韌的材料,并且拋光良好。 因此,它可以工作到業界高標準。 MgF2具有微弱的雙折射性質,并且通常提
更新時間:2025-01-02
產品型號:MGF40LENS115
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